DRAM內(nèi)存速度快、延遲低,但是掉電就會(huì)丟失數(shù)據(jù),機(jī)械、固態(tài)存儲(chǔ)則正好相反,所以一直以來(lái)都是涇渭分明,而現(xiàn)在,有一種技術(shù)意欲通吃?xún)纱箢I(lǐng)域,這就是Intel 3D XPoint。
這是一種基于電阻的非易失性?xún)?nèi)存存儲(chǔ)方案,讀取延遲10納秒級(jí)別,使用壽命即全盤(pán)寫(xiě)入1000萬(wàn)次級(jí)別,均介于傳統(tǒng)DRAM、NAND之間。它的定位并不是取代DRAM和/或NAND,而是在它們之外的補(bǔ)充。
非易失性技術(shù)方案很多,Intel 3D XPoint是第一個(gè)完整成熟起來(lái)并快速投入商用化的。IDF 2015峰會(huì)上,Intel昨天已經(jīng)宣布了基于該技術(shù)的Optane固態(tài)硬盤(pán),將會(huì)從今年底開(kāi)始陸續(xù)進(jìn)入數(shù)據(jù)中心和筆記本,提供M.2、U.2、PCI-E等多種規(guī)格,比傳統(tǒng)固態(tài)硬盤(pán)快足足5-7倍,更具體的規(guī)格將在稍后公布。
今天,Intel又宣布了同樣基于3D XPoint技術(shù)的DIMM內(nèi)存條,號(hào)稱(chēng)可比傳統(tǒng)DDR內(nèi)存提供最多4倍的高容量、最低1/2的成本,而且接口和電氣特性兼容現(xiàn)有DDR4,可平滑過(guò)渡。
這也是歷史上第一次將非易失性技術(shù)應(yīng)用于系統(tǒng)主內(nèi)存。
3D XPoint DIMM內(nèi)存主要面向數(shù)據(jù)中心、大數(shù)據(jù)分析,具體發(fā)布時(shí)間未公布。
以后,我們的內(nèi)存、硬盤(pán)都可以是同一種介質(zhì)了。