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西部數(shù)據(jù)成功開發(fā)第五代3D NAND技術(shù)---BiCS5
作者:永辰科技  來源:業(yè)界供稿   發(fā)表時間:2020-2-11 10:33:34  點擊:2087

2020年2月10日,北京——西部數(shù)據(jù)公司 (NASDAQ: WDC)日前宣布已成功開發(fā)第五代3D NAND技術(shù)——BiCS5,繼續(xù)為行業(yè)提供先進的閃存技術(shù)來鞏固其業(yè)界領(lǐng)先地位。BiCS5基于TLC和QLC技術(shù)構(gòu)建而成,以有競爭力的成本提供了更高的容量、性能和可靠性。在車聯(lián)網(wǎng)、移動設(shè)備和人工智能等相關(guān)數(shù)據(jù)呈現(xiàn)指數(shù)級增長的當下,BiCS5成為了理想的選擇。

 

基于512 Gb的 BiCS5 TLC,西部數(shù)據(jù)目前已成功在消費級產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)出貨。預計到2020下半年,BiCS5將投入大規(guī)模量產(chǎn)。西部數(shù)據(jù)將推出一系列容量可選的BiCS5 TLC和BiCS5 QLC,其中包括1.33 Tb。

西部數(shù)據(jù)存儲技術(shù)與制造部門高級副總裁Steve Paak表示:“隨著又一個十年的到來,新的3D NAND演進對于繼續(xù)滿足數(shù)據(jù)量的不斷增長和性能的需求都至關(guān)重要。BiCS5的成功生產(chǎn)體現(xiàn)了西部數(shù)據(jù)在閃存技術(shù)方面的持續(xù)領(lǐng)導地位,以及對長期路標的高效執(zhí)行力。通過利用多層存儲孔技術(shù)來提高存儲密度增加存儲的層數(shù),我們顯著提高了3D NAND的容量和性能,從而不斷滿足用戶期待的高可靠性和低成本。”

BiCS5采用了廣泛的新技術(shù)和創(chuàng)新的制造工藝,是西部數(shù)據(jù)迄今為止最高密度、最先進的3D NAND。第二代多層存儲孔技術(shù)、改進的制造工藝流程以及其他3D NAND單元的增強功能,顯著提高了整個晶圓水平面單元的陣列密度。這些“橫向擴展”技術(shù)與112層垂直存儲能力相結(jié)合,使BiCS5相比于西部數(shù)據(jù)上一代的96層BiCS4技術(shù),其每片晶圓的存儲容量提高了40%以上,同時優(yōu)化了成本。新的設(shè)計改進還提高了性能,使得BiCS5的I/O性能比BiCS4提升了50%。

BiCS5是與其技術(shù)和制造伙伴鎧俠株式會社(Kioxia Corporation)共同研發(fā),將會在日本三重縣四日市和日本巖手縣北上市的合資工廠生產(chǎn)。

依托BiCS5技術(shù),西部數(shù)據(jù)將推出基于3D NAND技術(shù)的個人電子產(chǎn)品、智能手機、IoT設(shè)備和數(shù)據(jù)中心等全方位系列產(chǎn)品。

 
 
 
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